【神州音响网讯】6月10日，在广州举行的2013年新世纪LED峰会外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底大功率LED研发及产业化和大尺寸硅衬底LED技术的最新进展。
据孙钱介绍，Haitz定律追求的是高性价比LED。市场需要的是一条追随和突破Haitz定律的技术路线，它要有更大的衬底晶圆、更低的芯片工艺成本、更高的光效、更高的工作电流密度以及单位芯片面积更高的出光功率。硅衬底LED技术或将是最理想的选择。
孙钱十多年来一直从事氮化物半导体材料生长与器件制备的研发，包括纳米多孔GaN的低成本制备及其应用，相关专利成果已许可给国际某LED厂家用于提高LED产品的光效。2011年入选中组部首批国家“青年千人计划”，晶能光电有限公司硅衬底氮化镓LED研发副总裁，带领团队成功研发出硅衬底氮化镓基垂直结构大功率LED的外延及芯片技术，并于2012年6月在全球率先量产硅衬底上GaN基大功率LED，入选国际半导体照明2012年度新闻。
继2012年6月12日发布硅衬底大功率LED芯片量产以来，在孙钱带领的团队的的努力下，晶能光电取得了大步的“芯”跳跃，硅衬底大功率LED外延生产水平可达到同炉外延片波长总体在7-8nm，炉与炉之间波长重复性稳定在±2nm,同时片内波长STD约1.3nm且翘曲度小。外延水平的提升的同时，硅衬底大功率LED芯片性能得到了飞速提升。目前，45mil芯片量产水平裸芯光强500mW，平均电压2.9-3V，反向漏电流小于0.1uA;封装成冷白光效可达到140lm/W@350mA，性能与国际一流大厂大功率LED芯片水平相当。55mil 芯片光效更可达到150lm/W@350mA，比去年提升幅度近20%。同时，硅衬底大功率LED芯片在900mA电流，55℃下老化1800小时无光衰，显示了良好的可靠性。
孙钱同时介绍了6寸硅衬底大功率LED研发的最新进展。据介绍，晶能光电已开发出的6寸硅衬底氮化镓基LED的外延及芯片工艺技术制造的45mil芯片光效已达到125lm/W，并且将于明年实现6寸硅衬底45mil LED芯片的批量生产，光效达140lm/W以上。
晶能光电是全球硅衬底LED技术和产业化的引领者。硅衬底大功率LED芯片投放市场以来，其芯片性能进步神速，市场反响强烈，优良的可靠性和良好的性价比得到越来越多客户的认可。在本次广州国际照明展中，运用硅衬底大功率LED芯片的硅衬底模组首次亮相。硅衬底模组以3.5元/W、质量五年的高性价比受到了同行的广泛关注。
(编辑：小莹)
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